原厂交期: -
类别: IGBT,MOSFET - 单
描述: 封装: TO-252 安装类型: Through Hole 集射极击穿电压(Max): 650 V IGBT 类型: Trench Field Stop 集电极电流Ic(Max): 85 A 集电极脉冲电流(Icm): 200 A 集射极导通电压: 2.1V @ 15V, 50A 功率(Max): 277 W 开关能量: 770µJ (on), 1.11mJ (off) 输入类型: Standard 栅极电荷@Vgs: 94 nC 测试条件: 400V, 50A, 10Ω, 15V 反向恢复时间(trr): 72 ns 工作温度范围: -40℃~175℃ 系列: *
封装 | TO-252 | 安装类型 | Through Hole | 集射极击穿电压(Max) | 650 V |
IGBT 类型 | Trench Field Stop | 集电极电流Ic(Max) | 85 A | 集电极脉冲电流(Icm) | 200 A |
集射极导通电压 | 2.1V @ 15V, 50A | 功率(Max) | 277 W | 开关能量 | 770µJ (on), 1.11mJ (off) |
输入类型 | Standard | 栅极电荷@Vgs | 94 nC | 测试条件 | 400V, 50A, 10Ω, 15V |
反向恢复时间(trr) | 72 ns | 工作温度范围 | -40℃~175℃ | 系列 | * |